Übersetzung von "gallium arsenide charge-coupled device" ins Russische
Übersetzung
Ihr Text wurde teilweise übersetzt.
Sie können maximal 999 Zeichen gleichzeitig übersetzen.
Loggen Sie sich ein oder registrieren Sie sich kostenlos bei PROMT.One und übersetzen Sie noch mehr!
Werbung
Wörterbuch für "gallium arsenide charge-coupled device"
gallium arsenide charge-coupled device
substantiv
pl.
gallium arsenide charge-coupled devices
Kontexte mit "gallium arsenide charge-coupled device"
The winner of the German Aerospace Center internal competition was the AsteroidFinder project, the objective of which will be to search for Inner Earth objects using a 25-centimetre telescope with a 2 × 2 square-degree field of view and the novel Electron Multiplying Charge Coupled Device camera.
Победителем внутреннего конкурса, проведенного Германским аэрокосмическим центром, стал проект " Искатель астероидов ", цель которого будет заключаться в поиске объектов, находящихся внутри орбиты Земли, при использовании 25-сантиметрового телескопа с зоной обзора 2 х 2 градуса и новой электронной камеры с усовершенствованным ПЗС.
The pioneers of microelectronics tried many strategies to supplant vacuum tubes, and they delivered a host of semiconductors and chip designs: germanium, silicon, aluminum, gallium arsenide, PNP, NPN, CMOS, and so on.
Пионеры микроэлектроники перепробовали массу стратегий, чтобы вытеснить вакуумные трубки, и они использовали разнообразные полупроводники и конструкции чипов: германий, кремний, алюминий, арсенид галлия, PNP, NPN, CMOS и так далее.
It is used in the processing of gallium arsenide crystals (used in mobile phones, lasers and so on), as a dopant in silicon wafers, and to manufacture arsine gas (H3As), which is used to make superlattice materials and high-performance integrated circuits.
Его используют для получения кристаллов арсенида галлия (применяемых в мобильных телефонах, лазерах и т. п.), в качестве легирующего элемента в составе кремниевых пластин, а также при синтезе газообразного арсина (H3As), необходимого для производства материалов сверхрешетчатой структуры и высокопроизводительных интегральных схем.
Gallium Arsenide (GaAs) or Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) quantum well " focal plane arrays " having less than 256 elements;
«Решетки фокальной плоскости» с потенциальной ямой, выполненные на основе арсенида галлия (GaAs) или галлий-алюминий-мышьяка (GaAlAs), имеющие менее 256 элементов;
Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм- фтористый цирконий и фтористый гафний.
Beispiele für den Wortgebrauch in verschiedenen Kontexten werden ausschließlich zu linguistischen Zwecken bereitgestellt, d. h. um den Wortgebrauch in einer Sprache und Varianten ihrer Übersetzung in eine andere zu untersuchen. Alle Beispiele werden automatisch aus offenen Quellen mit Hilfe einer zweisprachigen Suchtechnologie gesammelt. Wenn Sie einen Rechtschreib-, Zeichensetzungs- oder anderen Fehler im Original oder in der Übersetzung finden, nutzen Sie die Option „Problem melden“ oder schreiben Sie uns.
Laden Sie unsere App herunter
Übersetzung teilen
Laden…
Werbung