Traducción de "gallium arsenide charge-coupled device" al ruso
Traducción
Tu texto ha sido traducido parcialmente.
Puedes traducir no más de 999 caracteres a la vez.
Inicia sesión o regístrate gratis en PROMT.One y traduce aún más!
Publicidad
Traducciones del diccionario para "gallium arsenide charge-coupled device"
gallium arsenide charge-coupled device
sustantivo
pl.
gallium arsenide charge-coupled devices
Contextos con "gallium arsenide charge-coupled device"
The winner of the German Aerospace Center internal competition was the AsteroidFinder project, the objective of which will be to search for Inner Earth objects using a 25-centimetre telescope with a 2 × 2 square-degree field of view and the novel Electron Multiplying Charge Coupled Device camera.
Победителем внутреннего конкурса, проведенного Германским аэрокосмическим центром, стал проект " Искатель астероидов ", цель которого будет заключаться в поиске объектов, находящихся внутри орбиты Земли, при использовании 25-сантиметрового телескопа с зоной обзора 2 х 2 градуса и новой электронной камеры с усовершенствованным ПЗС.
The pioneers of microelectronics tried many strategies to supplant vacuum tubes, and they delivered a host of semiconductors and chip designs: germanium, silicon, aluminum, gallium arsenide, PNP, NPN, CMOS, and so on.
Пионеры микроэлектроники перепробовали массу стратегий, чтобы вытеснить вакуумные трубки, и они использовали разнообразные полупроводники и конструкции чипов: германий, кремний, алюминий, арсенид галлия, PNP, NPN, CMOS и так далее.
It is used in the processing of gallium arsenide crystals (used in mobile phones, lasers and so on), as a dopant in silicon wafers, and to manufacture arsine gas (H3As), which is used to make superlattice materials and high-performance integrated circuits.
Его используют для получения кристаллов арсенида галлия (применяемых в мобильных телефонах, лазерах и т. п.), в качестве легирующего элемента в составе кремниевых пластин, а также при синтезе газообразного арсина (H3As), необходимого для производства материалов сверхрешетчатой структуры и высокопроизводительных интегральных схем.
Gallium Arsenide (GaAs) or Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) quantum well " focal plane arrays " having less than 256 elements;
«Решетки фокальной плоскости» с потенциальной ямой, выполненные на основе арсенида галлия (GaAs) или галлий-алюминий-мышьяка (GaAlAs), имеющие менее 256 элементов;
Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм- фтористый цирконий и фтористый гафний.
Los ejemplos del uso de palabras en diferentes contextos se proporcionan únicamente con fines lingüísticos, es decir, para estudiar el uso de palabras en un idioma y sus opciones de traducción a otro. Están recopilados automáticamente de fuentes abiertas utilizando tecnología de búsqueda basada en datos bilingües. Si encuentras un error ortográfico o de puntuación en el original o en la traducción, utiliza la opción "Informar de un problema" o escríbenos.
DESCARGA LA APP PROMT.ONE
Compartir la traducción
Descargando...
Publicidad