Translation of "gallium arsenide charge-coupled device" to Russian

Source text

Translation results

Your text has been partially translated.
You can translate a maximum of 999 characters at a time.
Login or register for free on PROMT.One and translate even more!

<>

Advert

Dictionary translations for "gallium arsenide charge-coupled device"

gallium arsenide charge-coupled device noun
pl. gallium arsenide charge-coupled devices

Contexts with "gallium arsenide charge-coupled device"

The winner of the German Aerospace Center internal competition was the AsteroidFinder project, the objective of which will be to search for Inner Earth objects using a 25-centimetre telescope with a 2 × 2 square-degree field of view and the novel Electron Multiplying Charge Coupled Device camera. Победителем внутреннего конкурса, проведенного Германским аэрокосмическим центром, стал проект " Искатель астероидов ", цель которого будет заключаться в поиске объектов, находящихся внутри орбиты Земли, при использовании 25-сантиметрового телескопа с зоной обзора 2 х 2 градуса и новой электронной камеры с усовершенствованным ПЗС.
The pioneers of microelectronics tried many strategies to supplant vacuum tubes, and they delivered a host of semiconductors and chip designs: germanium, silicon, aluminum, gallium arsenide, PNP, NPN, CMOS, and so on. Пионеры микроэлектроники перепробовали массу стратегий, чтобы вытеснить вакуумные трубки, и они использовали разнообразные полупроводники и конструкции чипов: германий, кремний, алюминий, арсенид галлия, PNP, NPN, CMOS и так далее.
It is used in the processing of gallium arsenide crystals (used in mobile phones, lasers and so on), as a dopant in silicon wafers, and to manufacture arsine gas (H3As), which is used to make superlattice materials and high-performance integrated circuits. Его используют для получения кристаллов арсенида галлия (применяемых в мобильных телефонах, лазерах и т. п.), в качестве легирующего элемента в составе кремниевых пластин, а также при синтезе газообразного арсина (H3As), необходимого для производства материалов сверхрешетчатой структуры и высокопроизводительных интегральных схем.
Gallium Arsenide (GaAs) or Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) quantum well " focal plane arrays " having less than 256 elements; «Решетки фокальной плоскости» с потенциальной ямой, выполненные на основе арсенида галлия (GaAs) или галлий-алюминий-мышьяка (GaAlAs), имеющие менее 256 элементов;
Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм- фтористый цирконий и фтористый гафний.
More
Examples of word usage in different contexts are provided solely for linguistic purposes, i.e. to study word usage in a sentence in one language and how they can be translated into another. All samples are automatically collected from a variety of publicly available open sources using bilingual search technologies.
If you find a spelling, punctuation or any other error in the original or translation, use the "Report a problem" option or write to us.

DOWNLOAD OUR FREE APP PROMT.ONE

Download on the App Store - PROMT.OneDownload on the App Store - PROMT.One Get it on Google Play - PROMT.OneGet it on Google Play - PROMT.One Explore it on App Gallery – PROMT.OneExplore it on App Gallery – PROMT.One