Ejemplos de uso de "indium arsenide" en inglés con traducción al ruso

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Other precious metals that are teased from the Earth, including indium, gallium, palladium, and ruthenium, are being discarded in much the same way as other electronic waste (e-waste). Другие драгоценные металлы, добываемые из Земли, включая индий, галлий, палладий и рутений, закапываются почти таким же способом, как и другие электронные отходы.
The pioneers of microelectronics tried many strategies to supplant vacuum tubes, and they delivered a host of semiconductors and chip designs: germanium, silicon, aluminum, gallium arsenide, PNP, NPN, CMOS, and so on. Пионеры микроэлектроники перепробовали массу стратегий, чтобы вытеснить вакуумные трубки, и они использовали разнообразные полупроводники и конструкции чипов: германий, кремний, алюминий, арсенид галлия, PNP, NPN, CMOS и так далее.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99.999 %; Органо-металлические соединения на основе алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы свыше 99,999 %;
Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм- фтористый цирконий и фтористый гафний.
Among the materials that have been found promising are amorphous silicon (a-Si), polycrystalline silicon films, cadmium telluride (CdTe) and copper indium diselenide (CuInSe2) (referred to commercially as CIS, or CIGS when gallium is also added). Среди найденных материалов самыми перспективными с точки зрения использования являются аморфный кремний (a-Si), поликристаллическая кремниевая пленка, сульфид кадмия (CdTe) и диселенид соединения меди и индия (CuInSe2), который обозначается в промышленности как CIS, или CIGS при добавлении галлия.
It is used in the processing of gallium arsenide crystals (used in mobile phones, lasers and so on), as a dopant in silicon wafers, and to manufacture arsine gas (H3As), which is used to make superlattice materials and high-performance integrated circuits. Его используют для получения кристаллов арсенида галлия (применяемых в мобильных телефонах, лазерах и т. п.), в качестве легирующего элемента в составе кремниевых пластин, а также при синтезе газообразного арсина (H3As), необходимого для производства материалов сверхрешетчатой структуры и высокопроизводительных интегральных схем.
Indium Antimonide (InSb) or Lead Selenide (PbSe) " focal plane arrays " having less than 256 elements; «Решетки фокальной плоскости» на антимониде индия (InSb) или селениде свинца (PbSe), имеющие менее 256 элементов;
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