Tradução de "gallium arsenide charge-coupled device" para o russo
Tradução
Seu texto foi parcialmente traduzido.
Pode traduzir no máximo 999 caracteres por vez.
Faça o login ou registre-se gratuitamente em PROMT.One e traduza ainda mais!
Anuncie
Traduções de dicionário para "gallium arsenide charge-coupled device"
gallium arsenide charge-coupled device
substantivo
pl.
gallium arsenide charge-coupled devices
Exemplos com "gallium arsenide charge-coupled device"
The winner of the German Aerospace Center internal competition was the AsteroidFinder project, the objective of which will be to search for Inner Earth objects using a 25-centimetre telescope with a 2 × 2 square-degree field of view and the novel Electron Multiplying Charge Coupled Device camera.
Победителем внутреннего конкурса, проведенного Германским аэрокосмическим центром, стал проект " Искатель астероидов ", цель которого будет заключаться в поиске объектов, находящихся внутри орбиты Земли, при использовании 25-сантиметрового телескопа с зоной обзора 2 х 2 градуса и новой электронной камеры с усовершенствованным ПЗС.
The pioneers of microelectronics tried many strategies to supplant vacuum tubes, and they delivered a host of semiconductors and chip designs: germanium, silicon, aluminum, gallium arsenide, PNP, NPN, CMOS, and so on.
Пионеры микроэлектроники перепробовали массу стратегий, чтобы вытеснить вакуумные трубки, и они использовали разнообразные полупроводники и конструкции чипов: германий, кремний, алюминий, арсенид галлия, PNP, NPN, CMOS и так далее.
It is used in the processing of gallium arsenide crystals (used in mobile phones, lasers and so on), as a dopant in silicon wafers, and to manufacture arsine gas (H3As), which is used to make superlattice materials and high-performance integrated circuits.
Его используют для получения кристаллов арсенида галлия (применяемых в мобильных телефонах, лазерах и т. п.), в качестве легирующего элемента в составе кремниевых пластин, а также при синтезе газообразного арсина (H3As), необходимого для производства материалов сверхрешетчатой структуры и высокопроизводительных интегральных схем.
Gallium Arsenide (GaAs) or Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) quantum well " focal plane arrays " having less than 256 elements;
«Решетки фокальной плоскости» с потенциальной ямой, выполненные на основе арсенида галлия (GaAs) или галлий-алюминий-мышьяка (GaAlAs), имеющие менее 256 элементов;
Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм- фтористый цирконий и фтористый гафний.
Os exemplos de uso de palavras em diferentes contextos são dados só para fins linguísticos, ou seja, para estudar o uso de palavras numa língua e as suas traduções para outra. Todos os exemplos são colecionados automaticamente em fontes abertas usando tecnologia de pesquisa de dados bilíngues. Se você encontrar algum erro de ortografia, pontuação ou outro erro no texto original ou na tradução, use a opção "Reportar um erro" ou escreva para nós.
Baixe nosso aplicativo é gratuito
Repartir com a tradução
Carregando…
Anuncie